重大进展！我国太空成功验证国产第三代半导体SiC功率器件
发布时间：2025-02-03 19:05:16来源：
我国在中国科学院微电子研究所的牵头下，成功在太空验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件。SiC作为第三代半导体材料，具备诸多优势，可大幅提升空间电源的传输功率和能源转换效率，满足高能效、小型化和轻量化需求。此次验证的SiC载荷系统包含高压抗辐射SiC功率器件，经过一个多月的在轨加电试验，测试数据正常，符合预期。
此次验证标志着SiC功率器件将成为大幅提升空间电源效率的优选方案，有望牵引空间电源系统升级换代。同时，这一成果也为我国探月工程、载人登月等领域提供了新一代功率器件的选择。SiC的应用潜力不仅限于航天领域，在高速列车、风力发电等领域也独具优势。
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